Технология LDMOS в АО «НИИЭТ» была освоена в ещё 2006 году и за прошедшее время предприятие представило более 50 типономиналов ВЧ и СВЧ LDMOS-транзисторов.
LDMOS (Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor) транзисторы — это особый тип полевых транзисторов с изолированным затвором, который нашел широкое применение в высокочастотных и мощных приложениях, особенно в области радиочастотной (РЧ) передачи. Их уникальная структура позволяет достигать высокой выходной мощности при сохранении хорошей линейности и эффективности, что делает их незаменимыми в базовых станциях сотовой связи, телевизионном вещании, радиолокации и других областях.
Для создания транзисторов КП9171А и КП9171БС специалистами АО «НИИЭТ» была значительно усовершенствована конструкция СВЧ-кристаллов и доработана технология их изготовления, что позволило воплотить в жизнь ряд принципиально новых конструктивно-технологических решений, направленных на существенное улучшение радиочастотных характеристик, линейности, повышение надёжности транзисторов, обеспечение высокой стабильности их энергетических параметров при длительной наработке. На частотах до 1ГГц по выходной мощности КП9171А и КП9171БС не уступают GaN-транзисторам, что позволяет широко использовать их в передатчиках цифрового телевизионного вещания стандарта DVBT2, где применение GaN-транзисторов не целесообразно. Благодаря своим передовым характеристикам транзисторы КП9171А и КП9171БС будут востребованы и в других областях, например, в системах радиолокации, навигации и связи.
Вышеуказанные разработки НИИ электронной техники находятся на уровне мировых аналогов, обеспечивая импортозамещение и технологическую независимость отечественных разработок, в основе которых они будут использованы. Они уже внесены в реестр российской промышленной продукции (ПП РФ № 719) и Единый реестр радиоэлектронной продукции (ПП РФ № 878) Минпромторга России.
